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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

DS 21.5: Talk

Thursday, March 20, 1997, 10:30–10:45, H 55

Kristallgitter-Einbau implantierter Ionen in 6H-SiC — •H. Wirth, M. Voelskow, D. Panknin und W. Skorupa — Forschungszentrum Rossendorf e.V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, PF 510119, 01314 Dresden

Die Ionenimplantation erweist sich als einzige praktikable Methode zur lateral selektiven Dotierung von Siliziumkarbid - einem Halbleitermaterial für besondere Anwendungen. Voraussetzung für die elektrische Aktivierung implantierter Dotanden ist die Besetzung geeigneter Gitterplätze im SiC-Kristall.
Um das Einbauverhalten bei der Implantation zu untersuchen, wurden Gallium und Krypton als für RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) zugängliche Atome mit ähnlicher Masse, jedoch verschiedener Elektronenstruktur mit einer Dosis von 10¹⁵· cm⁻² bei Targettemperaturen von 320 bis 480 ^oC in einkristallines 6H-SiC implantiert.
Aus dem Vergleich von kanalisierter und nichtorientierter (random) Zählrate bei RBS wurde der Einbaugrad auf Gitterplätz e bei Gallium zu 88 %, bei Krypton zu 54 % ermittelt. Damit erweist sich, daß die chemischen Eigenschaften des Dotanden von entscheidendem Einfluß auf die Plazierung im SiC-Gitter sind.