Münster 1997 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

DS 21.3: Talk

Thursday, March 20, 1997, 10:00–10:15, H 55

Temperaturabhängigkeit der SiC-Bildung während der Hochdosisimplantation von Kohlenstoff-Ionen in Silizium — •J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Wohldefinierte vergrabene Schichten aus 3C-SiC lassen sich in Si(100) und Si(111) mit Hilfe der Ionenstrahlsynthese, d.h. durch Hochdosis-Kohlenstoff Implantation und anschließendes Tempern, erzeugen [1].

Hierzu werden 180 keV C⁺ Implantationen mit Dosen im Bereich bis 9· 10¹⁷ C/cm² und thermisches Ausheilen für einige Stunden bei 1250^∘C verwendet. Um einkristalline Schichten mit abrupten Grenzflächen zu erhalten, ist es notwendig, die Bildung von SiC-Ausscheidungen während der Implantation hinsichtlich ihrer Tiefenverteilung und Orientierung zum Substrat zu kontrollieren. Ein wichtiger Parameter ist dabei die Implantationstemperatur, die in dieser Untersuchung zwischen 400 und 600 ^∘C variiert wird. Mit Hilfe von RBS-Messungen der Kohlenstoffverteilung im Zustand vor und nach dem Tempern sowie mit Hilfe von Hochauflösungs-XTEM Analysen der SiC-Phase wird die optimale Implantationstemperatur ermittelt.

[1] J.K.N. Lindner, A. Frohnwieser, B. Rauschenbach, und B. Stritzker, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 354 (1995) 171.