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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

DS 21.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 09:45–10:00, H 55

Untersuchungen zur ionenstrahlinduzierten Amorphisierung von α-SiC(6H) mittels IBA, XAS und Raman — •J. Conrad¹, W. Bolse¹, T. Rödle², S. Pietzonka², M. Borowski³ und A.-M. Flank³ — ¹II. Physikalisches Institut und SFB 345, Universität Göttingen, 37073 Göttingen — ²IV. Physikalisches Institut und SFB 345, Universität Göttingen, 37073 Göttingen — ³L.U.R.E., Université Paris-Sud, F-91405 Orsay Cedex, Frankreich

Einkristallines α-SiC wurde mit Ionen im Massenbereich von H bis Au und Energien von 14–900 keV bestrahlt, um den Prozeß der ionenstrahlinduzierten Amorphisierung zu untersuchen. Während bei allen anderen Ionenarten nur Tieftemperaturbestrahlungen (77 K) unter Randomrichtung durchgeführt wurden, wurde für He⁺ auch der Einfluß höherer Temperaturen (300 K) und von Channelingimplantation untersucht. Mittels Ionenstrahlanalyseverfahren (RBS(-C), RNRA) konnten sowohl die Reichweiteverteilung der Ionen als auch die Tiefenverteilung des erzeugten Strahlenschadens als Funktion der Ionendosis ermittelt und mit TRIM-Rechnungen verglichen werden. Die mit der Modifikation des Materials einhergehende Dichteänderung ließ sich durch Oberflächenprofilometrie bestimmen. Während RBS-C nur Informationen über die Fernordnung der Probe liefert, sind Veränderungen der chemischen Nahordnung durch Röntgenabsorptionsspektroskopie (EXAFS/XANES) an der Silizium K-Kante und Raman-Spektroskopie zugänglich.