Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 1: BN I

DS 1.3: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:45–11:00, PC 7

In situ Spannungsmessung bei der ionengestützten Abscheidung dünner Schichten — •M. Zeitler, J.W. Gerlach, S. Sienz, T. Kraus, M. Moske, B. Stritzker und B. Rauschenbach — Institut für Physik,Universität Augsburg,86135 Augsburg

Mittels ionengestützter Abscheidung wurden Titannitrid(TiN) und Bornitrid(BN) Schichten mit einer Dicke zwischen 200nm und 500nm hergestellt. Intrinsische Spannungen beim Wachstum dieser Hartstoffe könnten Ursache für Phasenumwandlungen und Vorzugsorientierungen sein. Bestimmt wurde die Spannung kapazitiv nach der Biegebalkenmethode (Details siehe [1]). Die lineare Anordnung dreier Kondensatoren ermöglicht thermische Spannungen des Si Substrates zu eliminieren. Durch die hohe Empfindlichkeit der Kapazitätsmeßbrücke von 10⁻⁷ pF läßt sich zum Beispiel ein Umklappen des Zugspannungszustandes beim Zusammenwachsen der Nitridinseln zum Druckspannungszustand bei geschlossenen Schichten feststellen. Es wurden Herstellungsparameter wie Ionenenergie, Ioneneinfallswinkel, und Substrattemperatur variiert und ihr Einfluß auf die Schichtspannung gemessen. Wirkung von UV-Licht Bestrahlung auf den Spannungszustand der Schichten soll hier diskutiert werden.

[1] M.Moske, K.Samwer, Rev. Sci. Instr. 59, 2012 (1988)