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DS: Dünne Schichten

DS 1: BN I

DS 1.4: Talk

Monday, March 17, 1997, 11:00–11:15, PC 7

Schwellwerte für die Bildung dünner Schichten aus kubischem Bornitrid — •H. Feldermann, M. Sebastian, C. Ronning und H. Hofsäss — Universität Konstanz, Postfach 5560, D-78464 Konstanz

Wir stellen ein neues Phasendiagramm für das Wachstum dünner Schichten aus Bornitrid vor. Es beruht auf Untersuchungen über den Einfluß der Ionenenergie und Substrattemperatur auf die Phasenbildung während der Deposition von massenseparierten B⁺- und N⁺-Ionen. Für die Bildung der kubischen Phase (c-BN) haben wir Schwellwerte von 125 eV für die Ionenenergie und 150 C für die Substrattemperatur gefunden. Weiterhin haben wir charakteristische Zusammenhänge zwischen dem kompressiven Streß der Schichten und der Depositionsparameter gefunden. Aus RBS-Messungen ergab sich, daß Sputterprozesse für die Nukleation und das Wachtum keine Rolle spielen. Zusätzlich zeigen EELS-Ergebnisse, daß der oberflächennahe Bereich immer sp²-gebunden ist. Somit ist die Bildung von c-BN ein Volumenprozeß, der qualitativ durch das Subplantationsmodell beschrieben wird.