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DS: Dünne Schichten

DS 11: Charakterisierungsverfahren II

DS 11.2: Talk

Monday, March 17, 1997, 16:45–17:00, H 55

Untersuchung von Bi-δ-Schichten auf Si(001) mit stehenden Röntgenwellenfeldern und Röntgenbeugung — •O. Mielmann¹, J. Falta¹, C. Sánchez-Hanke¹, Th. Schmidt¹, M. Kammler², F. Meyer zu Heringdorf², M. Horn-von Hoegen², M Copel³ und G. Materlik¹ — ¹HASYLAB/DESY, Notkestraße 85, 22607 Hamburg — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — ³IBM T. J. Watson Research Center.

Bi-δ-Schichten auf Si(001) wurden mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt und mit dem Verfahren der X-ray standing waves (XSW) und der Methode der crystal truncation rods (CTR) charakterisiert. CTR-Messungen wurden zur Bestimmung der durchschnittlichen Schichtdicken sowie der Rauhigkeiten der vergrabenen Bi-Schicht und der Oberflächenrauhigkeiten der Proben durchgeführt. Davon unabhängig liefern XSW-Messungen die „mittlere“ Bi-Atomposition relativ zu den Si(001)- und Si(220)- Netzebenen, womit weitere Aussagen über die Qualität der Bi-Schichten getroffen werden können. Ionenstreuung bei mittlerer Energie (MEIS) lieferte ergänzende Informationen zur Tiefenverteilung der Bi-Atome im Kristall. Bei der Herstellung der Proben wurde die Dicke der Bi-Schicht zwischen einer Zehntel- und einer ganzen Monolage variiert. Spot profile analysis low energy electron diffraction (SPALEED)-Messungen während und nach der Präparation kontrollierten das Wachstum und trugen zum weiteren Verständnis des Systems bei.