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DS: Dünne Schichten

DS 11: Charakterisierungsverfahren II

DS 11.3: Talk

Monday, March 17, 1997, 17:00–17:15, H 55

Röntgenbeugung an vergrabenen Ge-Mikrofacetten auf Si(001) — •J. Falta¹, D. Bahr¹, G. Materlik¹, M. Kammler² und M. Horn-von Hoegen² — ¹Hamburger Synchrotronstrahlungslabor HASYLAB am Deutschen Elektronen-Synchrotron DESY, Notkestraße 85, D-22607 Hamburg — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover

Röntgenbeugung mit Synchrotronstrahlung ermöglicht die zerstörungsfreie quantitative Charakterisierung der Grenzflächenmorphologie vergrabener ultradünner Schichten[1,2]. Mikrofacettierte Ge-Filme mit einer Schichtdicke von 8 Monolagen wurden auf Si(001) mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (Sb) hergestellt[3] und anschließend unter einer Deckschicht von 250 Å Si vergraben. Die Charakterisierung der vergrabenen Ge-Filme erfolgte mit Röntgenbeugung (crystal truncation rods) durch Messungen der (00h) Bragg-Stange. Die Facettierung der vergrabenen Schichten zeigt sich in dem Auftreten von (117) und (117) Facettenreflexen in der Umgebung des (002) Reflexes.

References

[1] J. Falta, D. Bahr, G. Materlik, B.H. Mueller, M. Horn-von Hoegen Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1394

[2] D. Bahr, J. Falta, G. Materlik, B.H. Mueller, M. Horn-von Hoegen Physica B 221 (1996) 96

[3] M. Horn-von Hoegen, M. Pook, A. Al Falou, B. H. Mueller, M. Henzler Surf. Sci. 284 (1993) 53