Münster 1997 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 12: Harte Schichten I

DS 12.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 10:45–11:00, PC 7

Untersuchungen zur gespeicherten Energie in plasmaabgeschiedenen TiN_x Schichten — •C. Eggs¹, H. Wulff² und R. Hippler¹ — ¹Inst. f. Physik, E.-M.-Arndt-Universität Greifswald — ²Inst. f. Physik. Chemie, E.-M.-Arndt-Universität Greifswald

TiN_x Schichten wurden unter Verwendung eines Hohlkatoden Bogenverdampfers (HKBV) abgeschieden. An diesen Schichten wurde der Einflußdes niederenergetischen Ionenbombardements auf das Filmwachstum und auf die Schichteigenschaften untersucht. Die Schichten wurden bei verschiedenen Stickstoff-Gasflüssen und Substrat-Vorspannungen abgeschieden und anschließend per Photoelektronen Spektroskopie (XPS) und Röntgenbeugung (XRD) untersucht. Das Plasma wurde durch Sondenmessungen und energieaufgelöste Massenspektrometrie (Plasma Monitoring) analysiert.

Aus den gemessenen Plasmadaten wurde der ioneninduzierte Energieeinstrom auf die aufwachsende Schicht berechnet und in Beziehung zu den Schichteigenschaften gebracht. XPS Spektren geben Information über die chemische Zusammensetzung der Schicht. Aus der Lage und der Breite der XRD-Linienprofile wurden Gitterdefekte und Korngröße in den Schichten berechnet. Die in der Schicht gespeicherte Energie wurde aus der Anzahl der Defekte und der Energie einzelner Defekte sowie aus dem Anteil der Atome an den Korngrenzen berechnet. Die gespeicherte Energie wird mit dem Energieeinstrom aus dem Plasma verglichen.