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DS: Dünne Schichten

DS 13: Mechanische und elektrische Eigenschaften

DS 13.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 10:45–11:00, H 55

Nanokristalline dünne Schichten aus rf-gesputtertem Lanthan modifiziertem PZT — •Michael Marx und Heinz Schmitt — FR. 10.3 Technische Physik, Universität des Saarlandes, Im Stadtwald, Bau 38, D-66123 Saarbrücken

Grundlagenforschung an dünnen Schichten, insbesondere bei Syste- men der Informationstechnik, Mikroelektronik und magnetischen Speichertechnik wird in Zukunft technisch und wissenschaftlich an Bedeutung weiter zunehmen. Von besonderem Interesse in diesen Be- reichen sind nanokristalline Materialien, mit denen wir uns be- fassen. Es werden dünne amorphe Schichten aus Lanthan modifiziertem PZT der Zusammensetzung 8/65/35 durch rf-Sputtern bei Raumtemperatur hergestellt und durch anschließendes Tempern im Bereich von 400 bis 650 Grad Celsius in nanokristalline Systeme überführt. Mit- tels Röntgenuntersuchung wird die Korngröße der sich ausbil- denden Kristallite bestimmt, sie liegt im Bereich von 30nm, EDX dient der Kontrolle der Stöchiometrie. Es sollen Ergebnisse von elektrischen, dielektrischen und mecha- nischen Messungen in Abhängigkeit von der Korngröße vorge- stellt werden.