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DS: Dünne Schichten

DS 17: Optische Eigenschaften I

DS 17.4: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 12:30–12:45, ZB

Erzeugung blauer Lumineszenzzentren durch Ionenstrahlsynthese — •L. Rebohle¹, I. E. Tyschenko², H. Fröb³, K. Leo³, R. A. Yankov¹ und W. Skorupa¹ — ¹Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf e.V. — ²Institut für Halbleiterphysik, Nowosibirsk, Russia — ³Institut für Angewandte Photophysik, TU Dresden

Die Erzeugung blauer Lumineszenzzentren in SiO₂ ist ein Forschungsgebiet, dem aufgrund seiner potentiellen Anwendung in der Optoelektronik zunehmend mehr Aufmerksamkeit gewidmet wird. Dabei ist die Ionenstrahlsynthese wegen der Möglichkeit, Ablauf und Prozeßparameter sehr genau zu definieren und zu reproduzieren, die vielversprechendste Methode. In der hier vorgestellten Arbeit wurden Si-, Ge- und Ar-Ionen in 500 nm dicke, thermisch gewachsene SiO₂-Schichten implantiert und anschließend unter verschiedenen Bedingungen ausgeheilt. Während die mit Si und Ge implantierten SiO₂-Schichten starke violette und blaue Photolumineszenz (PL) zeigen, konnte bei Ar keine nennenswerte PL festgestellt werden. Damit kommen reine Strahlenschäden als Ursache der PL nicht mehr in Betracht. Die experimentiellen Ergebnisse lassen sich hingegen gut durch einen Sauerstoffmangeldefekt erklären, der durch die überstoichiometrische Konzentration von Si bzw. Ge entstanden ist.