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DS: Dünne Schichten
DS 23: Sonstiges II
DS 23.2: Talk
Thursday, March 20, 1997, 10:30–10:45, ZB
Die geometrische Struktur von LPCVD-SiOxNy-Schichten — •K.-M. Behrens, E.-D. Klinkenberg und K.H. Meiwes-Broer — Fachbereich Physik, Universität Rostock, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock
In diesem Beitrag werden FTIR- und EXAFS-Untersuchungen zur Variation der
geometrischen Struktur von Siliciumoxinitridschichten in
Abhängigkeit von der Stöchiometrie der Schichten vorgestellt.
Die Siliciumoxinitridschichten wurden mit LPCVD auf Si(001) abgeschieden.
Die schnelle thermische Prozeßführung ermöglicht dabei die Herstellung
von dünnen (2 nm) stöchiometrischen Schichten. Die EXAFS Untersuchungen
konnten mit Synchrotronstrahlung am BESSY
durchgeführt werden. OK α- und NK α
-Absorptionsspektren wurden mit einem Fluoreszenz-Detektor gemessen.
Die geometrische Struktur der Schichten weicht schon bei geringen
Stickstoffanteilen von der Struktur des Siliciumoxids ab,
so ist z.B. der Sauerstoff-Bindungswinkel stark abhängig vom
Stickstoffgehalt der Schichten.
Die Stickstoff-Bindungswinkel und -Bindungslängen bleiben bis zu einem
Sauerstoffgehalt von 30 % unverändert.
Im Vergleich mit Rechnungen von Teschner [1] zeigt sich im
mittleren Stöchiometriebereich eine Abweichung vom strengen RBM-Modell.
Die Auswirkungen dieser strukturellen Änderungen auf die elektronische
Struktur wird diskutiert.
[1] U. Teschner, Wiss. Z. Uni-Rostock, N-Reihe 39, 5 (1990)