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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 23: Sonstiges II

DS 23.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:30–10:45, ZB

Die geometrische Struktur von LPCVD-SiOxNy-Schichten — •K.-M. Behrens, E.-D. Klinkenberg und K.H. Meiwes-Broer — Fachbereich Physik, Universität Rostock, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock

In diesem Beitrag werden FTIR- und EXAFS-Untersuchungen zur Variation der geometrischen Struktur von Siliciumoxinitridschichten in Abhängigkeit von der Stöchiometrie der Schichten vorgestellt.
Die Siliciumoxinitridschichten wurden mit LPCVD auf Si(001) abgeschieden. Die schnelle thermische Prozeßführung ermöglicht dabei die Herstellung von dünnen (2 nm) stöchiometrischen Schichten. Die EXAFS Untersuchungen konnten mit Synchrotronstrahlung am BESSY durchgeführt werden. OK α- und NK α -Absorptionsspektren wurden mit einem Fluoreszenz-Detektor gemessen. Die geometrische Struktur der Schichten weicht schon bei geringen Stickstoffanteilen von der Struktur des Siliciumoxids ab, so ist z.B. der Sauerstoff-Bindungswinkel stark abhängig vom Stickstoffgehalt der Schichten. Die Stickstoff-Bindungswinkel und -Bindungslängen bleiben bis zu einem Sauerstoffgehalt von 30 % unverändert. Im Vergleich mit Rechnungen von Teschner [1] zeigt sich im mittleren Stöchiometriebereich eine Abweichung vom strengen RBM-Modell.
Die Auswirkungen dieser strukturellen Änderungen auf die elektronische Struktur wird diskutiert.

[1] U. Teschner, Wiss. Z. Uni-Rostock, N-Reihe 39, 5 (1990)

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