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DS: Dünne Schichten
DS 23: Sonstiges II
DS 23.3: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 10:45–11:00, ZB
TDMS–Untersuchungen am System Vanadium Wasserstoff — •H. Paulus2, H. Müller1,2, M. Lammers2 und G. Vennema1 — 1Uni–GH–Paderborn, Abt. Soest — 2Institut f. Technologie– u. Wissenstransfer
Die Wechselwirkung von Wasserstoff mit Vanadium ist insofern von Interesse, als daß der Wasserstoff ins Vanadium diffundiert und somit gespeichert werden kann. Die Absorption von Wasserstoff in Vanadium wird zum einen von der Löslichkeit und vom Gleichgewichtsdruck, zum anderen aber von der Zusammensetzung der V–Oberfläche bestimmt. Es ist bekannt, daß bereits eine Sauerstoffbedeckung von weniger als einer Monolage ausreicht, um die H2–Absorption zu beeinflussen bzw. zu verhindern. Bei H2–Expositionen mit unzureichendem Restgasvakuum bzw. bei nicht ausreichender Reinheit des Wasserstoffs wird eine solche Blockade bei einigen wenigen Langmuir O2 oder sauerstoffhaltiger Restgase erreicht. Die einzige Möglichkeit, bei Raumtemperatur H2– Absorption zu beobachten, besteht deshalb darin, die Probenoberfläche gleichzeitig bei H2–Exposition zu reinigen, weshalb die V–Oberfläche während der Exposition mit Ar–Ionen von 3 keV beschossen wurde. Mit Hilfe von TDMS–Messungen konnte ein linearer Zusammenhang zwischen der H2–Desorption und dem absorbierten Wasserstoff festgestellt werden. Der Einfluß der Oberflächenverunreinigung auf das Absorptionsverhalten wurde ebenfalls untersucht. Mit TDMS konnte im Gegensatz zu SIMS– und SNMS–Messungen der absorbierte Wasserstoff quantifiziert werden.