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DS: Dünne Schichten
DS 23: Sonstiges II
DS 23.5: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 11:15–11:30, ZB
Untersuchung der Entmischungs– und Kristallisationskinetik von Germanium–Nanostrukturen — •Peter Kohlert, Jürgen Bläsing, Margit Zacharias, Peter Veit und Jürgen Christen — Institut für Experimentelle Physik, Otto–von–Guericke–Universität Magdeburg
Bei der Herstellung von amorphen SiGeOx–Filmen entsteht aufgrund eines zyklischen, nur von der Gerätegeometrie abhängenden Prozesses eine vertikale Schichtstruktur, bestehend aus SiOx und GeOx. Die Germaniumoxidbereiche bilden eine homogene Ansammlung von GeOx–Clustern mit einer schmalen Größenverteilung, die von der Sputterleistung abhängt. Die Güte dieser Strukturierung wird durch Aufnahmen mit dem Transmissionselektronenmikroskop und Reflektometrieuntersuchungen belegt. Der Entmischungsprozeß und das Kristallisationsverhalten des Germaniums werden anhand von Röntgendiffraktometrie–Messungen und in–situ–Untersuchungen der Kleinwinkelstreuung sowie Infrarotspektroskopie charakterisiert.