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DS: Dünne Schichten

DS 24: Ionenimplantation I

DS 24.5: Talk

Thursday, March 20, 1997, 12:00–12:15, H 55

Trackbildung in kristallinem InP bei 250MeV Xe-Implantation — •O. Herre¹, P.J. Gaiduk², P. Meier³, E. Wendler¹, F.F. Komarov², S. Klaumünzer³ und W. Wesch¹ — ¹Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — ²State University of Belarus, Institute for Applied Physics Problems, Kurchatova 7, 220064 Minsk, Belarus — ³Hahn-Meitner-Institut, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin

Latente Tracks sind ein wohlbekannter Effekt bei Schwerionenimplantation mit hohen Energien in Metalle, Isolatoren und amorphe Halbleiter. Für kristalline Halbleiter gibt es lediglich im Falle von hochohmigem GeS einen Hinweis auf Trackbildung/1/. Zur Ermittlung des Einflusses der elektronischen Energiedeponierung auf die Schädenerzeugung in InP wurden 250MeV Xe-Ionen implantiert. Die Untersuchung der oberflächennahen Bereiche erfolgte mit RBS/C, die Struktur der gesamten bestrahlten Schichten wurde mittels Querschnitts-TEM bestimmt. Abhängig von der Ionendosis werden in verschiedenen Tiefen innerhalb der Ionenreichweite unterschiedliche Konzentrationen und Arten von Defekten erzeugt. Für Dosen größer als 7·10¹²cm⁻² wurden in InP erstmalig latente Tracks nachgewiesen. Die Zahl der Tracks ist merklich geringer als die Zahl der eingeschossenen Ionen, was auf die Wirkung anderer Mechanismen als bei den o.g. Materialien schließen läßt. (Arbeiten teilweise gefördert durch DFG, Projekt We 1648/3,1)
/1/J.Vetter et.al.,NIM B 91 (1994)129-133