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DS: Dünne Schichten

DS 26: Neue Charakterisierungsverfahren

DS 26.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 15:15–15:30, PC 7

Neue Methoden der XPS-Oberflächenanalytik; TOF mit Pinchplasmen — •O. Treichel, G. Schriever, K. Bergmann und R. Lebert — Lehrstuhl für Lasertechnik, RWTH Aachen, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen

Die EUV-Strahlung einer intensiven, gepulsten Plasmaröntgenquelle erzeugt auf einer Festkörperoberfläche Photoelektronen mit Stromdichten, die eine energieaufgelöste Detektion der Photoelektronen eines einzigen Pulses (≤ 10 ns) mit einem TOF (time of flight) Spektrometer ermöglichen. Eine solche Strahlungsquelle ist das sogenannte Pinchplasma, welches im weichen Röntgenbereich emittiert. Die in der herkömmlichen XPS benutzte Methode der kontinuierlichen Anregung mit anschließender Analyse in einem einergieauflösenden Channeltron wird hier also durch eine gepulste Anregung gefolgt von einer Flugzeitmessung der emittierten Photoelektronen ersetzt. Die den Informationsgehalt der Photoelektronenspektroskopie bestimmenden Größen, wie die Energie der Primärphotonen, als auch die Bandbreite der anregenden Linienstrahlung können sowohl durch die Anlagenparameter (Gasart, Spannung, Druck) als auch durch geeignet gewählte Transmissionsfilter oder Röntgenoptiken gestaltet werden. Im Rahmen erster Experimente sollen die Eigenschaften der Quelle, das Konzept der Anregung, der zeitaufgelösten Elektronendetektion sowie deren Ergebnisse vorgestellt werden.