Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS 28: Ionenimplantation II

DS 28.5: Talk

Friday, March 21, 1997, 11:15–11:30, PC 7

Quanteneffekte in mittels Ionenstrahlsynthese hergestellten vergrabenen Submikrometer-CoSi₂-Drähten — •D. Lenssen, S. Mesters und S. Mantl — Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Mittels Ionenstrahlsynthese wurden vergrabene CoSi₂-Drähte in (100)-Silizium hergestellt. Dazu wurden Kobaltionen durch eine Implantationsmaske, bestehend aus einem Schichtsystem aus Chrom, Wolfram und SiO₂, in Silizium implantiert und anschließend getempert. Die Maske wurde mittels Elektronenstrahldirektschreibens strukturiert, so daß Strukturen unter 200 nm hergestellt werden konnten.

Mit Hilfe von Querschnitts-TEM-Aufnahmen wurde das Wachstum der CoSi₂-Drähte in Abhängigkeit der Breite der Maskenöffnung untersucht. Ferner wurden Hallbarren für elektrische Messungen strukturiert. Insbesondere wurde der Magnetowiderstand von Drähten mit Breiten zwischen 200 nm und 1 µm bei Temperaturen zwischen 2 K und 6 K untersucht. Dabei konnte Schwache Lokalisierung [1] mit starker Spin-Bahn-Kopplung nachgewiesen werden.

[1] G. Bergmann, Phys. Rep. 107, No.1, 2 (1984)