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DS: Dünne Schichten

DS 29: Metallische Schichten I

DS 29.4: Talk

Friday, March 21, 1997, 11:00–11:15, H 55

Herstellung von dünnen Ag(100) und Ag(111) Filmen auf Halbleitersubstraten — •J. Lösch¹, P. Leinenbach¹, U. Hodel¹, U. Memmert¹ und U. Hartmann² — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, KFA Jülich, D-52425 Jülich — ²FR Experimentalphysik, Universität des Saarlandes, D-66041 Saarbrücken

Dünne Ag Filme wurden im UHV auf Si(100)- und GaAs(100)/Fe-Substraten aufgedampft und in-situ mit LEED und STM untersucht. Auf Si(100)(2x1)-Substraten wachsen dünne, orientierte Ag(111)-Filme in einem Stranski-Krastanov-Modus, während auf HF-geätzten wasserstoffterminierten Si(100)-Oberflächen polykristalline Ag-Filme gefunden werden. Für Filmdicken unter 40 nm wird der Film durch isolierte Ag-Körner auf der Oberfläche dominiert. Für größere Filmdicken bildet sich aus diesen Körnern ein perkolierendes Netzwerk, das letztendlich nur noch von wenigen Löchern unterbrochen wird. Ag(100)-Filme können auf GaAs(100)-Oberflächen gewachsen werden, nachdem eine Fe-Keimschicht aufgebracht wurde. Auch hier wird zunächst die Nukleation von orientierten Inseln beobachtet, die im weiteren zu einem (100)-orientierten Netzwerk zusammenwachsen. Der Einfluß von Wachstumsparametern wie Substrattemperatur oder Aufdampfrate wurde untersucht.