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DS: Dünne Schichten

DS 30: Molekularstrahlepitaxie

DS 30.1: Talk

Friday, March 21, 1997, 10:15–10:30, ZB

Gedämpfte Oszillationen beim Lagenwachstum — •H. Kallabis^1,2, L. Brendel^1,2 und D. E. Wolf² — ¹Höchstleistungsrechenzentrum, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — ²Gerhard - Mercator - Universität, Theoretische Physik, FB 10, D-47048 Duisburg

Das Kennzeichen von lageweisem epitaktischem Wachstum sind Oszillationen, z. B.  der Intensität von der Oberfläche reflektierter Elektronen (RHEED - Oszillationen). Die Dämpfung dieser Oszillationen aufgrund der Aufrauhung der Oberfläche wird theoretisch und mit Computersimulationen untersucht. Kürzlich wurde entdeckt, daß die Dämpfungszeit mit einem Potenzgesetz von der Aufdampfrate (bei konstanter Temperatur) abhängt. Neue Ergebnisse werden präsentiert, wie der zugehörige Exponent von den Aufrauhungsmechanismen beeinflußt wird.