Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
DS: Dünne Schichten
DS 30: Molekularstrahlepitaxie
DS 30.2: Talk
Friday, March 21, 1997, 10:30–10:45, ZB
Röntgenreflektometrie und diffuse Streuung an AlAs/GaAs-Übergittern — •R Opitz1, E.A. Kondrashkina1, S.A. Stepanov1, M. Schmidbauer1, R. Köhler1, R. Hey2 und M. Wassermeier2 — 1MPG-AG Röntgenbeugung, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin — 2PDI, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin
Der Einfluß der Substratfehlorientierung auf das MBE-Wachstum von AlAs/GaAs-Übergittern bei verschiedenen Wachstumsbedingungen wurde mittels Röntgenreflektometrie und diffuser Streuung untersucht. Dabei wurde eine Anisotropie der diffusen Intensitätsverteilung durch Messungen entlang und senkrecht zur Substratfehlorientierung sowie, in Richtung der Fehlorientierung, eine Asymmetrie in den Streukurven festgestellt. Während sich die Anisotropie durch unterschiedliche Korrelationslängen in den untersuchten Richtungen erklären läßt, wurden für die Simulationen des asymmetrischen Anteils der diffusen Streuung zwei Modelle geprüft, die einerseits eine laterale Verschiebung des Oberflächenreliefs von einer Grenzfläche zur anderen in Richtung der Substratfehlorientierung und andererseits die Asymmetrie der Terassenstufen in dieser Richtung als Ursache in Betracht ziehen. Die durch AFM erhaltenen Bilder der GaAs- Oberfläche des Übergitters zeigen Bündelungen einzelner atomarer Stufen, deren laterale Abmaße gut mit den mittels Röntgenstreuung bestimmten Korrelationlängen übereinstimmen.