Münster 1997 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 30: Molekularstrahlepitaxie

DS 30.3: Talk

Friday, March 21, 1997, 10:45–11:00, ZB

Mittelenergetische Ionenstreuung (MEIS) an Si/GaSb/Si(100) — •T. Tappe, A. Chatziparaskewas, O. Kollmann, Y.C. Lim, U. Wesskamp und B. Schmiedeskamp — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld

In dieser Arbeit wurden Schichtsysteme aus Si/GaSb/Si(100) mit MBE hergestellt und mit mittelenergetischer Ionenstreuung (MEIS) vermessen. Verschiedene Schichtsysteme wurden auf ihre epitaktische Qualität und Struktur hin untersucht. Hier ist zu unterscheiden zwischen einem epitaktischen Wachstum von GaSb mit Inselbildung und glatten GaSb Zwischenschichten mit verschwindender Epitaxie. Sehr gut geordnete Systeme erhält man bei Substrattemperaturen von 200^∘C und Nachheizen bei 600^∘C. Bei diesen Bedingungen setzt jedoch vermehrt Inselbildung ein, wie durch Transmissionselektronenmikroskopie [1] gezeigt werden konnte. Geordnetes Wachstum konnte auch für bei 200^∘C und 250^∘C hergestellte und nicht nachgeheizte Schichten gefunden werden, wobei die Form der MEIS Spektren wiederum für Inselbildung spricht. Ein deutlich glatteres Wachstum der Schichtsysteme wird bei 30^∘C beobachtet. Solche Systeme zeigen jedoch keine geordnete Struktur. Bei 30^∘C hergestellte und anschließend nachgeheizte Schichtsysteme wurden auf ihre epitaktische Qualität mit MEIS untersucht.
[1] S. Hopfe und R. Scholz, MPI für Mikrostrukturphysik, Halle