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DS: Dünne Schichten

DS 30: Molekularstrahlepitaxie

DS 30.5: Talk

Friday, March 21, 1997, 11:15–11:30, ZB

Röntgenstrukturanalyse modulationsdotierter Si/Ge MQWs — •U. Thiele, K. Dettmer und J. Schoenes —
Institut für Halbleiterphysik und Optik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, D-38106 Braunschweig

Es konnten Röntgenstrukturuntersuchungen mit erhöhter Auflösung an modulationsdotierten Si/Ge Multiquantumwells durchgeführt werden, die aus 10 Perioden mit 30 nm Si-Barrieren und 4.2 nm Si_0.6/Ge_0.4 -Wells bestehen.

In den besten mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellten Schichten zeigen die Satellitenpeaks des (004)-Reflexes Halbwertsbreiten von 40″ , und ein Vergleich mit der Simulation zeigt Grenzflächenrauhigkeiten der Schichten im Bereich der Gitterkonstanten von Silizium und Germanium. Die Messung von (440)-Spacemaps erlaubt die Bestimmung der Verspannungszustände der Schichten.