Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 32: Metallische Schichten II
DS 32.6: Vortrag
Freitag, 21. März 1997, 13:00–13:15, H 55
Herstellung und Charakterisierung dünner ternärer Silizidschichten CoSi1.5Ge0.5 — •M. Haaß, G. Fehlauer, W. Hansch und I. Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg
Um gitterangepaßte Metallschichten auf Silizium herzustellen, z.B. für Tunnelbauelemente, scheint CoSi2 eine geeignete Verbindung zu sein. Die Gitterfehlanpassung zu Silizium beträgt jedoch -1.2%, was zu Defekten in den aufgewachsenen Schichten führt. Das Beimischen von Germanium, dessen Gitter 4% größer als das des Siliziums ist, soll über die Bildung eines ternären Silizids CoSi1.5Ge0.5 das Silizidgitter aufweiten und anpassen. Die Schichtdicken für Tunneleffekte bewegen sich im nm-Bereich. In dieser Größenordnung spielen Grenzflächeneigenschaften und damit auch Diffusionsvorgänge eine entscheidende Rolle. Vorliegende Arbeit untersucht verschiedene Herstellungsverfahren im UHV und das Diffusionsverhalten der beteiligten Spezies. Es zeigt sich, daß sich das stöchiometrische Verhältnis CoSi1.5Ge0.5 durch den Einbau von Germanium und die damit verbundene Streßminimierung nicht von selbst einstellt. Je nach Herstellungsparametern finden unterschiedliche Diffusionsvorgänge statt. Stöchiometrische Kodeposition bei Reaktionstemperatur führt bevorzugt zur Diffusion von Germanium, Abscheidung bei Raumtemperatur und anschließendes Annealing zu überwiegender Kobaltdiffusion.