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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.27: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Ramanspektroskopische Bestimmung von Schichtparametern in Si / Ge – Übergittern — •H. Kierey, U. Barkow, K. Dettmer und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstraße 3, D-38106 Braunschweig

Ramanspektroskopische Messungen an hochwertigen Übergittern oder Multiquantumwells zeigen entsprechend der Überstruktur gefaltete optische und akustische Phononenzweige.

Aus der energetischen Lage der akustischen Phononen läßt sich quantitativ die Schichtdicke der verschiedenen Schichttypen ermitteln. Die Energie der optischen confined-Moden liefert bei bekannten photoelastischen Konstanten der Ausgangsmaterialien die Verspannung der Schichten. Schließlich können aus dem Auftreten bestimmter Mischkristallmoden Aussagen zum Übergang zwischen den Einzelschichten, speziell auf im atomaren Bereich ebene Grenzflächen oder Interdiffusion gewonnen werden.

Vorgestellt werden Messungen an epitaktisch gewachsenen Si / Ge – Übergittern. Die Messungen wurden mit einem selbstentwickelten Ramanspektrometer mit Triple-Monochromator durchgeführt. Sie werden mit Ergebnissen aus der Röntgendiffraktometrie verglichen.