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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.30: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Spektralellipsometrische Charakterisierung von Mo-, W- und Si-Schichten auf Si(111) — •Ayesha Mian, Peter Thomsen-Schmidt und D. Schäfer — Berliner Institut für Optik GmbH, Rudower Chaussee 6, 12484 Berlin

Durch RF-Magnetronsputtern wurden Mo-, W- und Si-Einzelschichten auf Si(111) Wafer abgeschieden. Die Schichtdickenbestimmung im Bereich zwischen 50 und 1 nm erfolgte mit einem Spektralellipsometer, wobei verschiedene Modelle zur Charakterisierung des Substrates und der Schichten herangezogen wurden. Auf der Basis der ellipsometrischen Resultate wurden diverse Schichtsysteme mit Einzelschichtdicken zwischen 2-5 nm deponiert und in Röntgenbeugungsexperimenten untersucht. Die Ergebnisse der Messungen werden unter dem Gesichtspunkt diskutiert, ob die ellipsometrische Dickenbestimmung an Einzelschichten zur Ermittlung von Prozeßdaten für die Deposition von X-Ray Multilayern geeignet ist.