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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.47: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 16:15–17:45, Aula

Bestimmung der Sputterraten von kubischem und hexagonalem Bornitrid — •G. Rohrbach², M. Chen¹ und A. Lunk² — ¹Tsinghua Universität, Beijing 100 084, PR China — ²Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

Zur Modellierung der Schichtwachstumsprozesse bei der Abscheidung von c–BN und h–BN wird die Sputterrate in Abhängigkeit von der Ionenenergie und –art sowie vom Einschußwinkel benötigt. Vorgestellt werden Experimente in einer Ionenstrahlanlage für einen Energiebereich von 300 eV bis 1 keV und in einem Einschußwinkelbereich von 0^∘ bis 80^∘. Die Messung der Sputterraten erfolgte sowohl an h–BN– und c–BN–Schichten als auch an massivem Material. Die Schichten wurden durch plasmaaktivierte Bedampfung im Hohlkathodenbogen hergestellt. Aus der Auswertung des Masseverlustes bzw. des Interferenzspektrums ergab sich die Sputterrate. Eine Bewertung der experimentellen Ergebnisse resultiert aus dem Vergleich mit TRIDYN–Simulationen. Wegen der eingesetzten hohen Ionenstromdichten schieden TRIM–Simulationen aus. Eine Übereinstimmung zwischen Experiment und Simulation konnte sowohl für die Winkel– als auch Energieabhängigkeit erzielt werden, wenn für die Oberflächenbindungsenergie von Bor und Stickstoff 3 eV angenommen wird. Die Unterschiede in den Sputterraten von h–BN und c–BN ergeben sich durch die unterschiedlichen Dichtewerte beider Materialien (h–BN: 2,28 g/cm³, c–BN: 3,48 g/cm³).