Münster 1997 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.54: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 16:15–17:45, Aula
Mikrostrukturierung von Metallen und Halbleitern durch lichtinduziertes Trocken"atzen im VUV-Bereich — •H. Raaf, U. Streller, A. Krabbe, and N. Schwentner — Institut f"ur Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin
Die lichtinduzierte "Atzreaktion von Si(100) mit XeF2 sowie Cu mit Cl2 wurde untersucht. Mittels monochromatischer Synchrotronstrahlung (50nm-300nm) wurden Effizienz und Selektivit"at durch Reproduktion von Ni-Masken vermessen. Am Beispiel Si konnten typische "Atztiefen bis zu 1µm bei einer lateralen Aufl"osung im Submikrometerbereich erreicht werden. Die Effizienz der Reaktion ist stark wellenl"angenabh"angig und wird zwischen 105nm und 122nm maximal. Dabei werden Quantenausbeuten f"ur ge"atzte Si-Atome pro einfallendem Photon von "uber eins (20) beobachtet und damit Werte, die mehr als vier Gr"o"senordnungen "uber den sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich liegen. Zur Diskussion steht ein Reaktionsmechanismus, in dem an der Oberfl"ache eine elektronische Anregung in einer nur zwei Monolagen dicken Fluorosilylschicht erfolgt. An Cu wird das lichtstimulierte Wachstum von CuClx-Filmen mit vergleichbaren Effizienzen beobachtet. "Uber die Schichtzusammensetzung sollen die Reaktionsmechanismen gekl"art werden.