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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.57: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Co-Implantation in Si(111) bei Stromdichten größer 1A/cm² — •S. Hausmann, L. Bischoff, J. Teichert, F. Herrmann und D. Grambole — Forschungszentrum Rossendorf, Postfach 510119, 01314 Dresden

Mit einem feinfokussierten Ionenstrahl[1] wird, in Abhängigkeit des Strahldurchmessers, mit einer Stromdichte von 1−10A/cm² Kobalt in Si(111) implantiert. Es bilden sich CoSi₂-Schichten, deren Eigenschaften in Abhängigkeit der implantierten Dosis, der Substrattemperatur und der Temperung variieren.

Die hergestellten CoSi₂-Schichten werden sowohl vor, als auch nach der Temperung elektrisch und mit Li-Mikro-RBS an der Kernmikrosonde[2] untersucht.

[1] L. Bischoff, E. Hesse, D.Panknin, W. Skorupa und J. Teichert, Microelectron. Eng. 23, 115 (1994)

[2] F. Herrmann und D. Grambole, Nucl. Instrum. and Meth. B104 26, (1995)