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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.61: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Herstellung metallischer Nanostrukturen durch Lithographie mit dem Rasterkraftmikroskop — •Th. Mühl, H. Brückl, J. Kretz, I. Mönch, R. Rank, H. Vinzelberg und G. Reiss — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Helmholtzstraße 20, D-01069 Dresden

Ein Rasterkraftmikroskop (RKM) wurde zur Strukturierung und Charakterisierung schmaler Leiterbahnen mit Breiten unter 100 nm eingesetzt.

Durch die mechanische Modifizierung elektronenstrahllithographisch hergestellter Leiterbahnen und anschließender kontrollierter Goldbedampfung wurden Tunnelkontakte erzeugt, die bei Temperaturen unterhalb von 800 mK die für Einzelelektronen-Tunneln charakteristische Coulomb-Blockade zeigen.

Das RKM wurde außerdem zur feldinduzierten Oxidation von Si(100) eingesetzt. Dabei konnten Oxidlinien mit einer Breite unter 100 nm erzeugt und durch nachfolgendes Ätzen als Vertiefungen in das Si übertragen werden. Diese Technik kann daher zur einfachen Erzeugung auch komplexer Ätzmasken verwendet werden.