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DS: Dünne Schichten
DS 4: BN II
DS 4.1: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 11:45–12:00, PC 7
Abscheidung von Bornitridschichten in einem CVD-Verfahren mit fluorhaltigen Precursor-Gasen — •Frank Hentschel, Carsten Wochnowski und Carsten Benndorf — Uni Hamburg, Inst. f. Physikalische Chemie, Bundesstr. 45, 20146 Hamburg
Die in unserem Arbeitskreis aufgebaute Anlage zur CVD-Abscheidung von Bornitrid arbeitet nach dem Prinzip des induktiv eingekoppelten Hochfrequenzplasmas. Die Leistung des HF-Generators (500W, 13.56 MHz) wird über ein Anpassungsnetzwerk auf eine Spule geleitet, in welcher sich ein als Reaktor dienendes Quarzglasrohr befindet. Die verwendeten Gase sind BF3, N2 und H2, als Substrat dient (111)-Silizium. Ziel unserer Untersuchungen ist die Abscheidung von kubischem Bornitrid (c-BN) in einem reinen CVD-Verfahren, in dem vor allem auf den starken Ionenbeschuß verzichtet werden soll, der bislang zur c-BN-Abscheidung notwendig ist. Im Gegensatz zu bisherigen Untersuchungen mit wasserstoffhaltigen Precursor-Gasen ist es bei unseren Experimenten möglich, kleine Mengen Wasserstoff zu ansonsten wasserstofffreien Systemen zuzugeben. Die Erkenntnisse über den Einfluß von Wasserstoff und Halogenen sollen zum Verständnis der beim Wachstum von Bornitrid ablaufenden Prozesse beitragen.