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DS: Dünne Schichten

DS 4: BN II

DS 4.4: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 12:30–12:45, PC 7

Phasen- und Struktruanalyse von kubischen und hexagonalen Bornitrid - D"unnschichtsystemen mittels spektroskopischer Ellipsometrie im Sichtbaren und fernen Infrarot — •E. Franke¹, H. Neumann¹, M. Schubert², T.E. Tiwald³, J.A. Woollam³, J. Hahn⁴, and F. Richter⁴ — ¹Institute of Surface Modification, Permoserstrasse 15, D-04303 Leipzig, Germany — ²Faculty of Physics and Geoscience, University of Leipzig, Germany — ³Center for Microelectronic and Optical Materials Research of the University of Nebraska-Lincoln, USA — ⁴Institute of Physics, Faculty of Science, Technical University Chemnitz-Zwickau, Germany

Wir berichten "uber die Anwendung spektroskopischer Ellipsometrie im Sichtbaren (VIS, 1.5-3.5eV) und fernen Infrarot (0.087-0.37eV) zur quantitativen Phasen- und Strukturanalyse von kubischen (c-BN) und hexagonalen (h-BN) Bornitrid - D"unnschichtsystemen. Die Proben wurden mittels r.f./d.c. Magnetron-Sputter-Technik auf [001] Silizium Substraten bei verschiedenen Proze"sbedingungen abgeschieden. Die polykristallinen Schichten sind optisch isotrop (c-BN, einige h-BN) oder anisotrop (h-BN). Im VIS werden h-BN Schichten mit positiver oder negativer optischer Einachsigkeit parallel zur Schichtnormale beobachtet. Im IR werden unterschiedlich starke in-plane und off-plane Gitterabsorptionen gemessen.Wir pr"asentieren ein einheitliches Strukturmodel zur Beschreibung der h-BN IR -VIS dielektrischen Funktion.