Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
DS: Dünne Schichten
DS 7: Diamant I
DS 7.3: Talk
Monday, March 17, 1997, 15:45–16:00, PC 7
Tieftemperatur-CVD-Diamantabscheidung mittels halogenhaltiger Precursor-Gase — •Ingo Schmidt und Carsten Benndorf — Uni Hamburg, Inst. f. Physikalische Chemie, Bundesstr. 45, 20146 Hamburg
Die Abscheidung von Diamantfilmen im CVD (chemical vapor deposition) Verfahren bei niedrigen Substrattemperaturen TSub ist von Bedeutung, da Materialien beschichtet werden können, die die üblichen Temperaturen von 700 bis 800oC nicht aushalten. Dabei ist z.B. an Gläser und Stähle zu denken, durch deren Beschichtung eine Vielzahl neuer Anwendungen ermöglicht wird. Bei unseren Experimenten benutzen wir als Precursor-Gase CF4, CHF3 und C2H5Cl, jeweils in einem Überschuß Wasserstoff. Es werden sowohl das Mikrowellen-CVD Verfahren als auch das Heißdraht-CVD Verfahren verwendet. Wir konnten zeigen, daß die Halogene für die Schaffung aktiver Oberflächenplätze verantwortlich sind. Die Diamantoberfläche ist in der Regel bedeckt mit Wasserstoff, wodurch ein Wachstum bei geringen TSub verhindert wird. Durch die atomaren Halogene bilden sich HF bzw. HCl und freie Oberflächenplätze. Ein weiterer wesentlicher Punkt beim Tieftemperatur-Diamantwachstum ist die Oberflächendiffusion, die direkt mit TSub korreliert werden kann. Bei zu geringer Temperatur können die adsorbierten Wachstumsspezies nicht zu den für das Diamantwachstum geeigneten Plätzen diffundieren und es kann sich nur die amorph-graphitische Phase bilden.