Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 9: Mikrosonden

DS 9.4: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 16:00–16:15, ZB

Herstellung und Anwendungskonzepte monolithischer GaAs-Cantilever — •S. Heisig und E. Oesterschulze — Institut für Technische Physik, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel

GaAs-Cantilever bieten die Möglichkeit der Kombination von optischen und mechanischen Eigenschaften wie sie für SNOM-Anwendungen interessant sind. Vorgestellt wird die Herstellung solcher Cantilever mittels naßchemischer ätzverfahren und deren mechanische Charakterisierung bezüglich Resonanzfrequenz und Federkonstante. Als Anwendung wird ein auf einer Spitze aufgebrachter Schottky-Kontakt präsentiert, der als lichtempfindlicher Sensor arbeitet. Die Kontaktierung erfolgt mittels eines Ohmschen Kontaktes auf der Rückseite des Cantilevers. Gezeigt werden erste optoelektronische Messungen an ausgewählten Probenstrukturen. Diese Applikation ist als Vorstufe zu komplexeren Bauelementen auf derartigen Spitzen, wie Leuchtdioden oder auch Halbleiter-Laserdioden, zu sehen.