Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS VII: HV VII

DS VII.1: Invited Talk

Friday, March 21, 1997, 09:30–10:00, PC 7

Atomare Prozesse beim Schichtwachstum - Molekularstrahlepitaxie, ionenstrahlgestützte Deposition und Sputterdeposition im Vergleich — •Thomas Michely — Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Durch Deposition oder unter Einfluß von Atomen hyperthermischer Energie (E ∼ 10⁰ −10⁴ eV) hergestellte Filme zeigen gegenüber durch Deposition von Atomen thermischer Energie hergestellten Filmen vielfach veränderte Filmeigenschaften. So besitzen durch ionenstrahlgestützte Deposition (IBAD) oder Sputterdeposition (IBD) hergestellte Pt-Filme auf Pt(111) um 1-2 Größenordnungen erhöhte Inseldichten und verkleinerte Filmstrukturgrößen im Vergleich zu Filmen, die durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) erzeugt wurden. Diese Unterschiede können, basierend auf einer detaillierten Kenntnis der Wirkung einzelner energiereicher Edelgasionen auf die Pt(111) Oberfläche auf einen von der Molekularstrahlepitaxie verschiedenen Inselbildungsmechanismus zurückgeführt werden. Bei IBAD und IBD entstehen Inseln nicht durch Nukleation aus einem übersättigten Adatomgas, sondern durch direkte oder indirekte Erzeugung stabiler Adatomcluster durch Einschüsse einzelner energiereicher Atome im deponierenden Fluß. Durch IBAD und IBD hergestellte Filme besitzen ebenfalls eine vergleichsweise verringerte Schichtrauhigkeit, die nicht nur auf dem veränderten Inselbildungsmechanismus beruht, sondern auch durch bei IBAD und IBD veränderte Formen der erzeugten Strukturen bewirkt wird.