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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.1: Talk

Monday, March 17, 1997, 15:30–15:45, H4

Hochaufgelöste Röntgenbeugung an Halbleiter-Heterostrukturen bei variabler Meßtemperatur — •H. Heinke, V. Großmann und D. Hommel — Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen

Bei der Heteroepitaxie von Halbleitern unterscheiden sich die Substrat- und Schichtmaterialien häufig nicht nur in ihren Gitterkonstanten, sondern auch in ihren thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Dies führt zu thermisch induzierten Verspannungen in den Schichten beim Abkühlen der Heterostruktur von der Wachstumstemperatur auf Normalbedingungen bzw. auf die Meßtemperatur bei verschiedenen Untersuchungsmethoden (z.B. 4 K bei optischen Experimenten). Die hochaufgelöste Röntgenbeugung bei variabler Meßtemperatur erlaubt es, solche thermisch induzierten Verspannungen direkt zu untersuchen. Dies soll an zwei Beispielen exemplarisch demonstriert werden. Dabei handelt es sich zum einen um ZnSe-Schichten auf GaAs(001)-Substraten, einem System mit relativ kleiner Gitterfehlanpassung zwischen Schicht- und Substratmaterial. Zum anderen werden erste Resultate an stark fehlangepaßten GaN-Schichten auf Saphir(0001) präsentiert.