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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.16: Talk

Monday, March 17, 1997, 19:15–19:30, H4

Homoepitaxie von Pyrit (FeS2) mittels MOCVD: Wachstum und Schichteigenschaften — •J. Oertel, K. Ellmer, B. Thomas und C. Höpfner — Hahn-Meitner-Institut, Bereich CS, D-14109 Berlin, Glienicker Str. 100, Germany

Eisenpyrit (FeS2) ist ein vielversprechendes Absorbermaterial für Dünnschichtsolarzellen. Es wird über das Wachstum von dünnen Pyritfilmen auf natürlichen und synthetischen Pyritkristallen mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) mit Eisenpentacarbonyl und t-Butyldisulfid als Precursor berichtet. Pyritfilme bis zu 10 µm Dicke wurden mit einer Wachstumsrate bis zu 5 µm/h gewachsen. Die kristalline Qualität wurde mittels Röntgenbeugung, Rutherford-Rückstreuspektroskopie und Untersuchung der Ätzgrubendichte bestimmt. Der Einfluß von Substrat-Temperatur, Substrat-Vorbehandlung, Partialdruck des Schwefelprecursors und Wachstumsrate auf die kristalline Qualität wurde untersucht. Die elektrischen und optischen Eigenschaften der Filme wurden mit zeitaufgelöster Mikrowellenleitfähigkeit, CV-Messungen und optischer Reflexion (180-3200nm) gemessen.