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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.3: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 16:00–16:15, H4

Photolumineszenz von InAs zur MOMBE-Wachstumsoptimierung — •M. Matt, R. Carius, A. Förster, H. Hardtdegen, C. Ungermanns und H. Lüth — Forschungszentrum Jülich GmbH,Institut für Schicht-und Ionentechnik, D-52425 Jülich

InAs, ein direkter Halbleiter mit niedriger Bandlücke, ist technologisch interessant für den Einsatz in optoelektronischen Bauelementen im mittleren Infrarot-Bereich. Für das Funktionieren der Bauelemente sind hohe Anforderungen an die strukturellen und optischen Eigenschaften des Materials gestellt. Deshalb wurde das homoepitaktische MOMBE-Wachstum (Metal Organic Molecular Beam Epitaxy) von InAs optimiert. Als Quellenmaterialien dienten TMIn (Trimethylindium) und AsH₃ (Arsin). In diesem Beitrag wird der Einfluß verschiedener Wachstumsparameter (Wachstumstemperatur und V/III-Verhältnis) auf die exzitonische Photolumineszenz (PL) diskutiert. Da die Halbwertsbreiten und Intensitäten der exzitonischen Übergänge im Photolumineszenzspektrum ein Maß für die Kristallqualität der epitaxierten Schicht sind, konnte mittels PL ein optimaler Parametersatz für das MOMBE-Wachstum von InAs gefunden werden.