Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.5: Talk

Monday, March 17, 1997, 16:30–16:45, H4

Untersuchungen zum Einflu"s des III/V-Flu"sratenverh"altnisses auf die Oberfl"achenkinetik bei der GaAs-Homoepitaxie — •Ch. Heyn, T. Franke, and M. Harsdorff — Institut f"ur Angewandte Physik und Zentrum f"ur Mikrostrukturforschung, Universit"at Hamburg, Jungiusstr 11, D-20355 Hamburg

Es werden sowohl Messungen als auch Computer-Simulationen zum Einflu"s des III/V-Flu"sratenverh"altnisses erstens auf die D"ampfung von RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction)-Oszillationen und zweitens auf den Arsen-Kondensationskoeffizienten durchgef"uhrt. Die zentrale Annahme des Simulations-Modells besteht darin, da"s sowohl schnelle Ga-Atome als auch langsame GaAs-Molek"ule auf der Oberfl"ache beweglich sind. Mit zunehmendem III/V-Verh"altnis steigt der Anteil der schnelleren Ga-Atome, was zu schw"acher ged"ampften RHEED-Oszillationen und zu geringerer, simulierter Oberfl"achenrauhigkeit f"uhrt. Die minimale D"ampfung der RHEED-Oszillationen wird dabei im Regime des unst"ochiometrischen Wachstums gefunden, was darauf hinweist, da"s kleine Mengen "Uberschu"s-Ga ohne wesentliche St"orung der Wachstumsfront eingebaut werden. M"ogliche Mechanismen sind Einbau von Ga auf As-Pl"atzen oder Bildung von As-Fehlstellen. Als Fazit stellt konventionelles MBE (Molecular Beam Epitaxy)-Wachstum einen Kompromi"s zwischen geringer Oberfl"achenrauhigkeit auf der einen und geringer Punktdefektdichte auf der anderen Seite dar.