Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Epitaxie
HL 10.6: Talk
Monday, March 17, 1997, 16:45–17:00, H4
Molekularstrahlepitaxie von CuInS2 — •Th. Hahn1, H. Metzner1, J. H. Bremer1, Chr. Schmiga1, J. Conrad1 und M. Seibt2 — 1II. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstraße 7-9, 37073 Göttingen, Germany — 2IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstraße 13-15, 37073 Göttingen, Germany
Der ternäre Halbleiter CuInS2 (CIS) gilt als aussichtsreiches Material für optoelektronische und photovoltaische Anwendungen. Allerdings war die Herstellung einkristalliner Schichten insbesondere auf Silizium-Substraten ein bis vor kurzem ungelöstes Problem. Wir haben daher einen Dreistrahl-MBE-Prozeß zur Heteroepitaxie von CuInS2 auf Si-Substraten entwickelt [1]. Im Rahmen dieses Verfahrens konnte erstmals eine geordnete Adsorbatstruktur von Schwefel auf Silizum nachgewiesen werden. Diese dient als Grundlage für den erfolgreichen Epitaxieprozeß. Die so erhaltenen Proben werden mit den Methoden der Röntgenstreuung (XRD), der Rutherford-Rückstreung (RBS), des Channelings (c-RBS) und der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) bezüglich ihrer Kristallinität, ihrer strukturellen und morphologischen Eigenschaften untersucht. Zusätzliche Informationen erhalten wir aus elektrischen Transportmessungen an auf CaF2 epitaktisch gewachsenen Filmen und an ersten Si/CIS-Heterojunctions.
[1] H. Metzner, Th. Hahn, J. H. Bremer, and J. Conrad,
Appl. Phys. Lett.
69, 1900 (1996).