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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Epitaxie
HL 10.8: Talk
Monday, March 17, 1997, 17:15–17:30, H4
Atomlagengenaues Ätzen in der Molekularstrahlepitaxie — •M. Ritz, T. Kaneko, S. Maier und K. Eberl — Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart
Atomlagengenaues Ätzen von GaAs erfolgt in einer Feststoffquellen-Molekularstrahlepitaxie-Anlage mittels Einleiten von AsBr3. Hiermit wird direktes Umschalten zwischen Epitaxie- und Ätzschritten bzw. Ätz- und Überwachsschritten innerhalb einer UHV-Kammer ermöglicht. Der Einfluß des Verfahrens auf elektronische und optische Eigenschaften der geätzten Grenzflächen bzw. der überwachsenen Halbleiterschichten wird untersucht. Im Zentrum stehen hierfür Messungen der Ladungsträgerbeweglichkeit und Photolumineszenzmessungen.