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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.10: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

AlGaAs-nipi-Reflexionsmodulatoren mit senkrechtem Lichteinfall — •F. Köhler, B. Knüpfer, W. Geißelbrecht, M. Welker, W. Fix, C. Oehler, L. Kilian und G. H. Döhler — Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen- Nürnberg

Nipi-Strukturen besitzen elektro-optische Eigenschaften, die sich besonders effektiv beim Einsatz als optische Modulatoren nutzen lassen. Durch die periodische Abfolge dünner n-dotierter, intrinsischer und p- dotierter Schichten führen kleine Spannungshübe (∼1V ) bereits zu großen elektrischen Feldänderungen in den i-Schichten (∼100kV/cm). Die so erzielten hohen Felder bewirken auf Grund des Franz-Keldysh-Effekts eine starke Absorption unterhalb der Bandkante. Zusammen mit der hohen Wechselwirkungslänge (d.h.der Summe der i- Schichten) erhält man bei einer Gesamtdicke des Modulators ∼5µ m bereits gute Schaltkontraste (2:1). Daher sind nipi-Strukturen ideal geeignet für den Einsatz in Modulatoren mit senkrechtem Lichteinfall. Unser AlGaAs-nipi-Modulator wurde mittels Molekularstrahl-Epitaxie auf einem Braggspiegel abgeschieden, dessen Stoppband im Bereich der Arbeitswellenlänge des Modulators liegt. Durch die Reflexion des Lichtes erhält man eine Verdoppelung der Wirkungslänge des Modulators. An der nipi-Struktur wurden lateral selektive Legierungskontakte angebracht, die synchron alle n-bzw p-Schichten kontaktieren.Eine Abschätzung der RC-Zeitkonstanten läßt eine Grenzfrequenz >500MHz erwarten.