Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.16: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Optische Absorption in N- und B-dotiertem CVD- und synthetischem Diamant — •E. Rohrer, C.E. Nebel und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU-München, Am Coulombwall 85748 Garching

Absorption in Stickstoff- und Bor-dotierten CVD-Diamantschichten auf Si, sowie in synthetischen Ib, IIa und IIb Kristallen wurden mit Transmission, Photothermischer Deflektionsspektroskopie (PDS) und der Constant Photocurrent Methode (CPM) untersucht. Die Photoionisation des Stickstoff-Donators mit einer Schwellenergie von 1.7 eV, die in synthetischem Ib bzw. IIa Diamant mittels CPM gemessen werden kann, wird in CVD-Diamant nur bei hochwertiger Filmqualität beobachtet. Eine zusätzliche Absorptionsbande, die in CVD gewachsenen Schichten oberhalb etwa 1 eV auftritt, überdeckt die Absorption des Stickstoff-Donators. In stickstoffreichem, nicht orientiertem CVD-Diamant wurde ein metastabiler Defekt bei 1.2 eV gefunden. Dotierung mit Bor führt zu einer Absorptionsbande mit einer Schwellenergie von etwa 0.37 eV aufgrund der Photoionisation des Bor Akzeptors. In synthetischem IIb Diamant treten in diesem Bereich Minima im CPM Spektrum auf, deren Abstand der optischen Phononenergie entspricht.