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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.18: Poster
Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z
Optische Bauelemente in lumineszierenden a−Si1−x Cx : H (O,N) Dünfilmwellenleitern — •J. Niemann, J. Seekamp, D. Rüter und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21071 Hamburg
Aus den flüssigen Organosilanen Hexamethyldisilazan (HMDSN),
Hexamethyldisiloxan (HMDSO), Tetramethylsilan (TMS) und
Tetra -
methoxysilan (TMOS) wurden von
uns in einem 40 kHz PECVD–Reaktor kohlenstoffreiche a−Si1−x
Cx : H (O,N)–Filme
abgeschieden. Aus diesen
Dünnfilmen konnten verschiedene optische Bauelemente dargestellt
werden: PIN–Fotodioden, Filmwellenleiter bzw. Linsen. Effektive Lichtleitung
konnte z. B. an einer Halbkreisstruktur demonstriert werden.
Außerdem wurden in einem konventionellen 13,56 Mhz PECVD–Reaktor
a−Si1−x Cx : H (O,N)–Filme (d ≃ 1 µm) abgeschieden. Alle unsere amorphen
Schichten zeigen eine ausgeprägte UV–angeregte Photolumineszenz
(PL) im sichtbaren Spektralbereich. Diese PL zusammen mit einer
ausreichenden Absorption im UV qualifizieren unsere Schichten für
den Einsatz als integrierte UV–Detektoren auf Si–Substraten [1].
Die optischen Eigenschaften von Schichten aus beiden
Reaktortypen werden verglichen.
[1] D. Rüter, S. Rolf, W. Bauhofer, Appl. Phys. Lett., 67(2), 1, 1995