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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.19: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Hall-Effekt- und Thermokraft Untersuchungen an undotierten µc-Si:H-Schichten — •D. Ruff, H. Mell und W. Fuhs — Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg, D-35032 Marburg

Nominal undotierte µc-Si:H-Filme mit einer Dicke von ca. 0,7µm wurden in einem konventionellen PECVD-Reaktor mit unterschiedlicher Rate zwischen 0,25 und 1,5 Å/s hergestellt. Ihre Leitfähigkeit σ, Hall-Beweglichkeit µ_H und Thermokraft S wurden im Temperaturbereich 200-450K gemessen. Die Werte von σ und S sind für alle Proben sehr ähnlich. Doch µ_H nimmt systematisch mit wachsender Depositionsrate ab. Das aktivierte Verhalten von µ_H und der Größe Q = ln(σ·Ω cm) +(e/k)· S zeigen an, daß der Ladungstransport durch starke Inhomogenitäten bestimmt wird. Die Ergebnisse werden im Rahmen zweier Modelle für inhomogene Halbleiter analysiert. Im ersten werden Potentialbarrieren an den Grenzflächen der für mikrokristallines Silizium typischen Kolumnen angenommen, im zweiten Potentialfluktuationen infolge inhomogen verteilter geladener Zentren. Eine Entscheidung zugunsten einer der beiden Modellvorstellungen kann noch nicht getroffen werden.