Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.21: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Elektrischer Transport in amorphen Halbleitermaterialien aus dem System Si-B-C-N — •Ulrich Eins, Joachim Bill, and Fritz Aldinger — Max-Planck-Institut f"ur Metallforschung, Institut f"ur Werkstoffwissenschaft und Universit"at Stuttgart, Institut f"ur Nichtmetallische Anorganische Materialien, Heisenbergstr. 5, 70569 Stuttgart

Durch thermische Zersetzung von Polymeren bei Temperaturen um 1050^∘C (Polymerpyrolyse) werden amorphe kovalente Keramiken hergestellt. Die Pyrolyse eines Polymethylvinylsilans liefert ein amorphes Si-C-Material mit einem Kohlenstoff"uberschu"s. "Uber die Zersetzung eines Polyvinylsilazans ist eine amorphe Keramik aus dem System Si-C-N zug"anglich. Das amorphe Si-B-C-N-Material kann durch Zersetzung von hydroborierten Polyvinylsilazanen gewonnen werden.

Die elektrische Leitf"ahigkeit dieser Materialien wurde in Abh"angigkeit von der Temperatur im Bereich von 20K-770K mit Hilfe einer Zweipunktmethode bestimmt. Die gemessenen Temperaturabh"angigkeiten der elektrischen Leitf"ahigkeit werden mit Ergebnissen aus Modellen f"ur Leitungsmechanismen in amorphen Halbleitern verglichen. Dabei zeigt sich, da"s die Temperaturabh"angigkeiten der elektrischen Leitf"ahigkeit der Materialien mit verschiedenen Modellen beschrieben werden k"onnen.

Zur Aufkl"arung der mikroskopischen und strukturellen Eigenschaften wurden die Methoden Elektronenspinresonanz und R"ontgendiffraktometrie herangezogen. Die Ergebnisse aus den Strukturuntersuchungen werden den gemessenen elektrischen Leitf"ahigkeiten gegen"ubergestellt.