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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.22: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Optimierung von p-Kontakten auf ZnSe Dioden — •J. Nürnberger, W. Faschinger, R. Schmitt, M. Korn, M. Ehinger, S. Scholl und G. Landwehr — Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Durch Temperaturerniedrigung beim Wachstum des ZnSe:N/ZnTe:N multi-quantum well Kontakts konnte das Strom - Spannungsverhalten von ZnSe Dioden deutlich verbessert werden. Ein ähnliches Verhalten zeigt sich bei einer Minimierung der ZnTe:N Deckschichtdicke. Diese Beobachtungen unterstreichen die große Bedeutung die einer Unterdrückung der Diffusion, bei der Herstellung ohmscher Kontakte auf p-ZnSe, zukommt.Ein Vergleich zwischen einer herkömmlichen ZnSe Diode und einer Diode, bei der die p-ZnSe Schicht durch p-ZnSTe ersetzt wurde zeigt, daß durch den Diffussionsprozeß das p-ZnSe unterhalb des Kontakts beeinflußt wird und nicht der ZnSe:N/ZnTe:N Kontakt selbst.