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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.29: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Strukturelle Eigenschaften von Beryllium-haltigen Übergitterstrukturen auf GaAs(001)-Substraten
— •Th. Walter¹, D. Gerthsen¹, Th. Litz², A. Waag² und G. Landwehr² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe (TH), Kaiserstr. 12, D-76128 Karlsruhe — ²Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Berylliumchalkogenide zeichnen sich durch hohe Bandlückenenergien aus. Sie eignen sich deshalb als Ausgangsmaterial für optoelektronische Bauelemente im blauen/grünen Spektralbereich. Die Gitterkonstante von BeTe ist etwas kleiner als die des GaAs, so daß durch Kombination mit ZnSe, welches eine etwas größere Gitterkonstante aufweist, ein BeTe/ZnSe-Übergitter mit der durchschnittlichen Gitterkonstanten von GaAs erzeugt werden kann. Diese Übergitterstrukturen lassen sich mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(001)-Substraten aufbringen.

Es werden strukturelle Untersuchungen an verschiedenen BeTe/ZnSe-Übergittern mit Hilfe der konventionellen und der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (TEM und HRTEM) im Hinblick auf die Schichtwelligkeit, die Rauhigkeit der Grenzflächen und die Schärfe des chemischen Übergangs vorgestellt.