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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.30: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Magnetische Resonanzuntersuchungen an hochohmigem undotiertem CdZnTe — •T. Wimbauer1, M. S. Brandt1, D. M. Hofmann1, A. Schwarz2, A. Hofstaetter2 und B. K. Meyer2 — 1Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D–85748 Garching — 2I. Physikalisches Institut, Universität Gießen, Heinrich Buff Ring 16, D–35392 Gießen
Die hohen Atommassen von Cd und Te machen CdTe zu einem attraktiven Material für Anwendungen als Röntgen und γ-Strahlen Halbleiterdetektor. Voraussetzung dafür sind hochohmige Kristalle. Neuartige Wachstumsverfahren machen es möglich, undotierte CdZnTe Kristalle mit einem spezifischen Widerstand > 1010 Ωcm herzustellen. Es stellt sich die Frage nach der Natur der den Widerstand bestimmenden Defekte. Elektronenspinresonanz (ESR) Untersuchungen zeigen einen Defekt mit g = 2,00 mit Konzentrationen von 1016 cm−3. Unter Beleuchtung wird ein weiteres Signal bei etwa g = 1,53 beobachtet, das flachen Donatoren zugeordnet werden kann. Die Abweichung des g-Wertes von g = 1,69 (CdTe) läßt Aussagen über die Zn-Konzentration im Material zu. Dieses Signal wird auch in EDMR beobachtet. Über Photo-ESR Untersuchungen wird die Umladungsstufe des g = 2 Defektes zu 0,5 eV über dem Valenzband bestimmt. Mit Hilfe von Modellrechnungen wird der Einfluß dieser Defekte auf die Leitfähigkeit des Materials spezifiziert.