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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.35: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Elektronische und geometrische Strukturuntersuchungen von epitaktisch gewachsenen BeTe(100) Schichten — •M. Nagelstrasser¹, H. Dröge¹, F. Fischer², T. Litz², A. Waag², G. Landwehr² und H.-P Steinrück¹ — ¹Experimentelle Physik II — ²Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

BeTe ist ein neues Material aus der Gruppe der II-IV Halbleiter, das aufgrund des hohen kovalenten Bindungscharakters interessante elektronische Eigenschaften erwarten läßt. Aufgrund der guten Gitteranpassung zu ZnSe(100) und GaAs(100) ist es möglich, mittels Molekularstrahlepitaxie BeTe(100) Schichten unterschiedlicher Dicke mit nahezu abrupten Grenzflächen herzustellen. Die geometrischen und elektronischen Eigenschaften dieser epitaktischen Schichten wurden nach Transfer unter UHV-Bedingungen mit LEED, Photoelektronenspektroskopie und Augerelektronenspektroskopie untersucht. Die LEED Messungen zeigen eine (2x1) Rekonstruktion der Oberfläche, in Übereinstimmung mit in situ RHEED Messungen während des Wachstums. Ergebnisse zur elektronischen Struktur von, unter verschiedenen Bedingungen (Substrat, Substratdotierungen, Wachstumsparameter, Verspannung, ...) hergestellten BeTe(100) Schichten werden vorgestellt.

Das Projekt wird gefördert durch das BMBF über das Vorhaben 05 622 WWB und die DFG über SFB 410.