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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.4: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Gezielte Erzeugung von sauerstoff-induzierten Defekten in Si-lizium-Einkristallen zur Anwendung als Röntgenmonochromator — •C. Retsch¹, S. Keitel², C. Oeser¹, H. Schulte-Schrepping² und J.R. Schneider² — ¹II. Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg — ²HASYLAB am DESY, Notkestraße 85, 22603 Hamburg

Durch Tempern eines Cz-gezogenen Silizium-Einkristalls mit einer geeigneten Temperaturrampe werden sauerstoff-induzierte Vollversetzungsschleifen erzeugt. Die dadurch vergrößerte Mosaizität des Kristalls verursacht eine Verbreiterung des Reflexprofils verglichen mit dem des perfekten Silizium-Einkristalls. Mittels einer speziellen Biegevorrichtung kann der so behandelte und in Kammform geschnittene Kristall als Röntgenmonochromator mit variabler Reflexbreite eingesetzt werden.